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[讨论] sentaurus器件物理特性仿真问题

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发表于 2013-1-31 09:42:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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器件编辑器编辑好的器件结构无法进行物理特性仿真,提示grid=".tdr"is not a mixed-element,哪位大侠能否解决?
发表于 2013-6-26 09:21:13 | 显示全部楼层
不解,一般用process,SDE只用来mesh
发表于 2013-6-27 09:31:59 | 显示全部楼层
回复 2# scu_lin


    可以跟大神请教下process中一个问题吗?仿一个LDMOS的器件结构,总是在最关键的时候跳出来一个error in PARDISO drive。修改了网格,修改了工艺模型,结果都不行。求指导啊
发表于 2013-6-30 11:51:08 | 显示全部楼层
没做过LDMOS啊
发表于 2013-7-1 08:24:30 | 显示全部楼层
回复 4# scu_lin


    PARDISO是一种解大型稀疏矩阵的方法,是否是网格划分太细?跟器件结构关系应该不太大吧
发表于 2017-8-5 21:54:51 | 显示全部楼层
回复 3# 将科研进行到底
您好,之前我用的ISE 仿真器件结构,用的是dios,但是在sentaurus里面用dios却不行,请问这是为什么?能把你用的sentaurus教程发我看看嘛?我邮箱913079583@qq.com
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