计算跨导时，栅氧层电容Cox值取多少

楼梯口的阳光 · 发表于 2013-1-20 12:07:45

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在NMOS电路中（一个NMOS管），计算跨导时，公式中的Cox取什么值？这个值怎么得到？
PS：Cox与Tox有比例关系，但是我计算时，得到的结果与拉扎维的习题答案不一样，这是为什么？

shanzhongyiliu · 发表于 2013-1-20 13:16:47

每个例子都不一样，一般工艺文件中就有，但拉扎维的习题我就不知道了

天牛不唱歌 · 发表于 2013-1-20 17:41:53

(介电常数*8.854*10e-12) / tox
用这个公式，工艺不同tox不同，一般sansen认为 tox=Lmin/50 但是也不尽然。

cyl · 发表于 2013-1-21 18:39:59

Cox=εr*ε0*S/tox;
ε0=8.85*10^(-12),真空介电常数;
εr=3.9,二氧化硅的相对介电常数；
S是单位面积，一般取平方微米；
tox是唯一和工艺相关的，自己从model中找吧；
这样算出的数值应该和仿真比较接近；

if1302 · 发表于 2013-6-25 15:08:12

回复 1# 楼梯口的阳光

看看分析过程是否对，结果是手算的，有差别正常啊

if1302 · 发表于 2013-6-25 15:15:54

回复 4# cyl

对的

qiwentuo · 发表于 2013-6-25 15:21:25

一般而言，对于0.5um的工艺，Cox大约是3.4fF/平方微米，L越小，Cox应该以同样的比例增加。

电子论坛 · 发表于 2013-8-20 16:41:48

谢谢喽，嘿嘿

GlenZhang · 发表于 2013-12-21 15:53:01

小弟也遇到同样问题，求大神降临

semico_ljj · 发表于 2013-12-21 16:01:53

手算可以取粗略的值

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