在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2329|回复: 7

[求助] 1V的带隙基准电压可行吗?

[复制链接]
发表于 2013-1-17 11:17:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
大家好,现在有个工艺,带隙基准中用的是二极管,温度系数补偿后基准电压为1V,这个电压值可行吗?
发表于 2013-1-17 16:02:09 | 显示全部楼层
why not?
发表于 2013-1-17 16:08:18 | 显示全部楼层
可以的,用电流型的,但是要注意上电启动的问题
 楼主| 发表于 2013-1-17 16:45:19 | 显示全部楼层
回复 3# HaDesLi


   谢谢!但是我这个是电压型的,我用工艺提供的二极管仿了一下,正向压降的温度系数比较低,就是这个原因导致基准电压偏低。
发表于 2013-1-18 04:38:04 | 显示全部楼层
Sub 1v voltage mode?
发表于 2013-1-23 00:07:44 | 显示全部楼层



是一般硅工艺吗?所用二极管正向压降是多少?此时电流密度两条支路分别多少?二极管正向电压温度系数分别多大?有点好奇,因为一般很难补偿做到输出为1V。
发表于 2013-1-23 06:34:16 | 显示全部楼层
是不是你用的二极管面积太大了?
发表于 2013-1-23 09:56:14 | 显示全部楼层
普通工艺,最常见的结构 是不太可能到1V的,一般1.22V +—100mV最多了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-8 01:58 , Processed in 0.027881 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表