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查看: 7223|回复: 11

[求助] Calibre验证MOS电容的问题

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发表于 2013-1-11 18:00:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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由于公司验证工具由Dracula转成Calibre,还没玩转,有点问题请教大家:
用Calibre作验证工具,如何设置版图中MOS电容用面积作容差比较,等同于Dracula中命令LVSCHK MOSCAP-AREA=n0
急求解!!
 楼主| 发表于 2013-1-15 09:41:41 | 显示全部楼层
求帮助呀!
自己先顶一下,要不沉了!
发表于 2013-1-15 13:18:26 | 显示全部楼层
trace property C(type) 类似的语句

很少检查电容值,

电阻是: trace property R(R) 5 5 5  : 意思是5%的电阻值可以忽略
 楼主| 发表于 2013-1-16 11:53:16 | 显示全部楼层
可能我的意思没有说清楚,再解释一下,以电路中MOS电容W*L=12*15为例,版图位置及形状不合适版图画成W*L=20*9的结构,这个MOS管是做电容用,如何设置Calibre(或验证文件)在做Calibre LVS验证时不报这个MOS的W/L不正确,而是以面积为比较值进行比较?
主要是想如果MOS电容很多时,一一去检查也较麻烦,看有没简单方法?
发表于 2013-1-16 13:01:23 | 显示全部楼层
DEVICE C(CI) CICAP CPOLY2 CPOLY                 // PIP cap
                [ PROPERTY C,A,P
                A = AREA(CICAP)
                P = PERIMETER(CICAP)
                C = (A*0.864+P*0.0112*1e-6)*1e-3
                ]
//                TRACE PROPERTY C(CI) A A 1
//                TRACE PROPERTY C(CI) P P 1
                TRACE PROPERTY C(CI) C C 1
*************************************************
找了类似的几行
看懂没?
取A
 楼主| 发表于 2013-1-16 17:14:26 | 显示全部楼层
回复 5# hawaii78


    PIP电容没问题,问题是MOS电容只想用面积比较,怎么处理?
发表于 2013-1-16 17:17:45 | 显示全部楼层
看看看
发表于 2013-1-16 17:24:23 | 显示全部楼层
回复 4# qdllj


    个人建议,还是让designer把schematics改一下吧,这样最简单,最安全。

由于是mos管,所以,还是检查W/L比较好,避免其它的cell中有真实的W/L error存在。

如果你一定要按照area检查,
那就用 LVS SPICE IMPLIED MOS AREA YES
让工具自己把网表中的area计算出来,
然后lvs rule中关于mos的定义部分,你也定义一个AREA的变量计算公式,而不只是光有现在的W/L/M。
TRACE PROPERTY 部分也添加一下AREA的部分。
应该就能达到你的要求。你可以按照我说的思路测试一下。

但是这样的做法就是所有的MOS都这样检查了,有负面效果。
发表于 2013-1-17 09:55:26 | 显示全部楼层
TRACE PROPERTY C(CI) A A 1
上面这句是对CI类型的cap取A,LVS精度1%
TRACE PROPERTY MN(NN) L L 1
TRACE PROPERTY MN(NN) W W 1
而这两句对NN类型的nmos取W和L,LVS精度为1%
******
请看完一行中的每个含义
 楼主| 发表于 2013-1-22 10:45:15 | 显示全部楼层
回复 8# damonzhao


    版主,首先谢谢你的回复,提出这样要求主要是用于出数据前验证,按照你的思路我已经可以解决部分问题了,像你所说修改后所有MOS都会按面积检查,有负面效果,但我会先按M/L进行检查,排除普通MOS的结构过滤出MOS电容结构,再按面积检查MOS电容结构就可以了。但是目前还有一个问题:
     按照这种做法,不能检查并联的MOS管电容结构,算不出面积,检查不了!不知道版主有没有好的方法或思路!跪谢了!
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