地电压做level shift用什么结构的电路好呢

pocket112 · 发表于 2013-1-8 21:13:34

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在设计电路中，如果要把一对电源由VSS=0V, VCC=1.2V转换到VSS_O=0.8V, VCC_O=2V.
对响应速度要求比较高，400MHz
输出电流总加起来200mA。

那么应该采用哪种结构，LDO是否可行，或者LDO是否可以接收电流，如果可以的话，那么对于产生VSS_O的LDO来说，运放工作应该比较困难吧？
在设计这两个LDO时有哪些注意点呢，尤其是对于响应速度的要求。

fuyibin · 发表于 2013-1-9 10:29:19

没听说还能把电源地做shift的
具体应用时什么？你的solution可能想歪了

kwankwaner · 发表于 2013-1-11 12:02:10

两个LDO可以的，一个是P管出，一个n管出，只不过噪声，速度会比较难设计，最好用DeepNwell的器件，这样一般的LS就行了，甚至可以用反相器直接shift电压

jerykot · 发表于 2013-1-11 21:12:21

这种电压平移的，我觉得用电荷泵比较好。

pocket112 · 发表于 2013-1-12 20:54:29

回复 2# fuyibin

我觉得这种应用应该比较常见，特别是在高速ADC里，为了提高开关速度应该比较常遇见。

pocket112 · 发表于 2013-1-12 21:02:23

回复 3# kwankwaner

对的，后来我做了一个VSS_O=0.8V的LDO，可以接收电流，那请问提高速度，LDO的速度是取决于运放的带宽和反馈RC的带宽吗，运放要走做快是不是五管的结构最佳？

还有仿真中发现的一个问题：对于调整管N管，为了能接收大电流，尺寸取得很大，但因为大电流只在400M的时钟边沿出现，大部分时间没有过大电流，这时NMOS管VGS=350m,Vth=565m，但是这时去测增益，仍然是有64dB，这应该是管子工作在亚阈值区，那这样的电路保险吗？

pocket112 · 发表于 2013-1-12 21:04:49

回复 4# jerykot

能否具体叙述一下呢？

fuyibin · 发表于 2013-1-13 07:46:04

回复 5# pocket112

开关需要200mA？不就是switch gate接到某个bias上么，这个bias不需要太强

pocket112 · 发表于 2013-1-13 16:03:33

回复 8# fuyibin

理论上来讲是的，这组0.8，2.0给内部所有数字电路用，包括反相器，所以我在芯片内部产生时钟的话，在时钟边沿是会有很大的peak电流，所以我才会问200mA的电流，而且400M的时钟频率下rms值也很大。

fuyibin · 发表于 2013-1-13 19:54:50

回复 9# pocket112
没听懂你为什么要把所有逻辑做到0.8V到2.0V之内，如果只是在你列举的ADC里面的clk和switch，那完全不需要这么做，而且这么做也没什么好处。

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