哪位兄弟能帮我画出下图SCR结构的电路图，特别是中间的N注入是干嘛的？

zhuyujun · 发表于 2012-12-25 10:42:10

本帖最后由 zhuyujun 于 2013-5-13 13:46 编辑

未命名.bmp

dqyang · 发表于 2012-12-25 12:33:55

同求！
N+是为了降低击穿电压？没有NW里的P+不就是ggmos结构了？这个P+又起什么用呢？

dabing · 发表于 2012-12-25 14:12:32

本帖最后由 dabing 于 2012-12-25 14:15 编辑

降低nwell/psub的击穿电压记得给分哈，下东西，没钱了

zhuyujun · 发表于 2012-12-25 14:20:17

本帖最后由 zhuyujun 于 2012-12-25 14:22 编辑

回复 3# dabing

问题还要画出此SCR结构的电路图，呵呵！谢谢啦！画出才给信元哦！

dabing · 发表于 2012-12-25 14:21:51

加不了附件

dabing · 发表于 2012-12-25 14:27:11

见图中说明！！！

zhuyujun · 发表于 2012-12-25 14:34:35

回复 6# dabing

我想要兄弟您在我的图片上标识一下，怎么形成的SCR结构，而不是你那个图，谢谢哦，再麻烦你啦！

dabing · 发表于 2012-12-25 14:56:57

你应该静下心来分析一下了，你把这个pnpn套进去就可以了

zhuyujun · 发表于 2012-12-25 15:04:21

本帖最后由 zhuyujun 于 2012-12-25 15:12 编辑

回复 8# dabing

其它的p注入n注入都连上了，怎么中间的N注入怎么没处理呢？至少也有几个小电阻吧！可以再帮忙瞧瞧不？

dabing · 发表于 2012-12-25 15:56:00

本帖最后由 dabing 于 2012-12-25 15:59 编辑

中间的nplus的作用是降低nwell/psub的击穿电压这个在介绍scr结构的地方应该都能找到说明，或者你看看esd in silicon integrated circuit.你可以先看看关于ESD这方面的书籍哈
不好意思，我今天主要是信元不够了，所以过灌了一下水，希望看到回复的同学不要唾沫哈

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