高压管做ESD 求教

Miao_hero · 发表于 2012-12-11 10:36:23

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由于ESD是设计在一个高压电路模块，工作电压最大有10V左右，需要用高压HVNMOS来做ESD。但是工艺厂只有3.3V的ESD，请问要如何用啊？可以简单的串联来用么？

Miao_hero · 发表于 2012-12-11 12:30:07

自己顶一个，有知道好用的ESD的仿真软件的筒子么~

zikelee · 发表于 2012-12-11 14:11:58

没见过串联做ESD结构，你的HVESD的DS击穿电压时多少？如果大于10v你怎么做ESD保护？

jamesccp · 发表于 2012-12-11 17:34:06

做3X vdd的 ESD 结构还是可以实现的。但普通0.35um工艺的PN结反向击穿电压都不到10V ，楼主需要特别点的工艺。

kwankwaner · 发表于 2012-12-11 21:41:23

1找工艺厂要HVESD的IP，一般都会有，可能要钱
2问工艺厂怎么做，或者按照其提供的esd design guide来自己设计

math123 · 发表于 2012-12-12 00:49:36

工艺厂既然提供了10V的管子，应该也会有对应的ESD器件或者design rule的吧，否则怎么用啊

duduxy · 发表于 2012-12-18 09:20:32

IO端的串联可以用的，没有问题，两个串起来击穿电压应该可以保证10v，就ok了。

semico_ljj · 发表于 2012-12-18 13:23:42

2*VDD的器件一般就够了

lianaissmec · 发表于 2016-2-24 17:17:14

自己开发高压器件，先做一些高压的器件，再进行测试，看看怎样设计它的击穿电压大于10伏

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