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[求助] 请教一个StarRC提取寄生参数的问题

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发表于 2012-12-11 09:26:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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encounter做完布局布线后用StarRC提取寄生参数,论坛里的流程说需要下面这些文件。
BLOCK:                 //顶层模块的名字
TOP_DEF_FILE:      //encounter布局布线后保存的def文件
TCAD_GRD_FILE:  //库中max,min,typ,三种模式下的.nxtgrd文件
MAPPING_FILE:     //.map文件
NETS: *
OPERATING_TEMPERATURE: //max,min,typ三种库中定义的温度
MODE: 100

我想请教一下,.nxtgrd .map这个是foundry厂提供的还是通过其他什么文件生成的?现在还没有这两种文件。
发表于 2012-12-11 10:54:30 | 显示全部楼层
foundry会提供

有ITF应该用grdgenxo可以转。map可以自己写
 楼主| 发表于 2012-12-11 11:39:37 | 显示全部楼层
恩,谢谢。也没有ITF,现在还是菜鸟,map应该怎么写呢?有没有什么格式?
发表于 2012-12-11 14:25:15 | 显示全部楼层
回复 3# 孤月飞星

The layer mapping file is used to map the layers in the database to the layers
in the ITF process file.

  conducting_layers
metal1        M1
metal2                         M2
metal3                         M3

via_layers
via1                           VIA1
via2                           VIA2
  
  marker_layers
  
  remove_layers
  TEXT


这是我用过的一个map file 给你做个参考
 楼主| 发表于 2012-12-11 17:36:05 | 显示全部楼层
恩 好 感激不尽啊
发表于 2012-12-14 22:50:51 | 显示全部楼层
回复 4# alicez719


    受用了,谢谢
发表于 2013-1-21 14:11:11 | 显示全部楼层
回复 2# damonzhao


   版主,starrc的map文件格式是什么? 我的tech.lef 中定义的metal1,在itf中有ME1然后我写了一个对应map文件如下:

metal1    ME1
(剩余layer同样定义)
但是工具会报错,说我的metal1错了,求助!!
发表于 2013-1-21 14:18:46 | 显示全部楼层
回复 7# AveryYoung


   具体报错信息提供一下吧
你用的应该是lef-def的模式吧。
发表于 2013-1-21 14:41:24 | 显示全部楼层
回复 8# damonzhao

Map Layers:  Mon Jan 21 14:39:25 2013
ERROR: StarXtract
ERROR: Physical layer ME1 does not exist in process
ERROR:   Line: metal1 ME1
  Warnings: 0    Errors: 1    (See file layers.sum)
  Layers        Elp=00:00:00 Cpu=00:00:00 Usr=0.0    Sys=0.0    Mem=0.0   

ERROR: StarXtract
ERROR: Map Layers  Failed (see file layers.sum)
发表于 2013-1-21 14:44:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 AveryYoung 于 2013-1-21 14:50 编辑

回复 8# damonzhao


   我的map文件如下,左侧是tech lef中的layer名字,右侧是itf中的层次名字Conducting_layersmetal1 ME1
metal2 ME2
metal3 ME3
metal4 ME4


Via_Layers
via VI1
via2 VI2
via3 VI3
如下是foundry给的itf
DIELECTRIC PESIN { THICKNESS=0.7 ER=7.5 }
DIELECTRIC PSG { THICKNESS=0.5 ER=4.1 }
DIELECTRIC fill_ME4 { THICKNESS=0.9 ER=4.1 }
CONDUCTOR  ME4 { THICKNESS=0.9 WMIN=0.42 SMIN=0.54 RPSQ=0.036}
DIELECTRIC DI3 { THICKNESS=1.0 ER=4.1 }
DIELECTRIC fill_ME3 { THICKNESS=0.6 ER=4.1 }
CONDUCTOR  ME3 { THICKNESS=0.6 WMIN=0.4 SMIN=0.4 RPSQ=0.053}
DIELECTRIC DI2 { THICKNESS=1.0 ER=4.1 }
DIELECTRIC fill_ME2 { THICKNESS=0.6 ER=4.1 }
CONDUCTOR  ME2 { THICKNESS=0.6 WMIN=0.4 SMIN=0.4 RPSQ=0.053}
DIELECTRIC DI1 { THICKNESS=1.0 ER=4.1 }
DIELECTRIC fill_ME1 { THICKNESS=0.6 ER=4.1 }
CONDUCTOR  ME1 { THICKNESS=0.6 WMIN=0.32 SMIN=0.32 RPSQ=0.053}
DIELECTRIC DI0 { THICKNESS=0.75 ER=4.2 }
DIELECTRIC fill_PO1 { THICKNESS=0.25 ER=4.2 }
CONDUCTOR  PO1 { THICKNESS=0.25 WMIN=0.24 SMIN=0.36 RPSQ=2.5}
DIELECTRIC SIO { THICKNESS=0.4 ER=3.9 }

VIA VI3  { FROM=ME3 TO=ME4 AREA=0.16   RPV=3.5 }
VIA VI2  { FROM=ME2 TO=ME3 AREA=0.16   RPV=3.5 }
VIA VI1  { FROM=ME1 TO=ME2 AREA=0.16   RPV=3.5 }
VIA CONT { FROM=PO1 TO=ME1 AREA=0.1024 RPV=5 }
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