关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

wjx197733 · 发表于 2020-11-21 10:11:19

这篇帖子可以认为是“干货”

pihc_mj · 发表于 2020-12-3 10:41:10

请问楼主，FDSOI22nm工艺有没有RSCE

BlackAnalog · 发表于 2020-12-23 10:49:22

学习了~

Super.曼 · 发表于 2021-1-8 11:00:24

一下解答了好多疑问非常感谢前辈

Serendipity · 发表于 2021-1-30 22:24:00

感谢楼主分享

Kamon · 发表于 2021-5-19 09:53:13

学习

mysterygg · 发表于 2021-8-20 16:52:19

非常棒！解决了一个很大的疑惑

此系封 · 发表于 2021-9-9 08:42:24

谢谢楼主的干货分享，另外有个疑问想歪楼请教。就是我现在主要用180nm的工艺，发现NMOS的失陪普遍比PMOS严重，我用过很多家的都是这样的。但是不知道原因，好像有个书上提到过HALO的影响。确实我也见过有的工艺NMOS有HALO，PMOS没有的。请问跟HALO关系大吗？如果关系大，是不是NMOS,PMOS都有HALO的时候两个的失陪就差不多了呢？

jozhizhou · 发表于 2021-9-9 09:14:15

thanks very much, 讲出了在极限短沟道情况下的具体VTH反而升高的原因

yiteilxb · 发表于 2021-12-20 16:35:38

非常感谢

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