关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

wbautumn · 发表于 2015-11-5 23:05:14

好贴，谢谢楼主的分享，受益匪浅

研究生笑笑 · 发表于 2015-12-25 12:11:41

楼主好人，学习了

pengtx · 发表于 2015-12-25 13:55:43

Thank you for sharing.

shimuzhou · 发表于 2016-1-18 21:53:47

学习了，谢谢。。。。。

marjorie · 发表于 2016-2-29 17:26:09

楼主真心是牛啊

xiaohaoya1793 · 发表于 2016-4-12 18:00:57

一定要顶，谢谢

穆德尔 · 发表于 2016-9-26 20:35:34

良心帖，顶一个

sgj821 · 发表于 2016-12-12 22:21:13

这个halo结构与LDD的区别

liuzexue · 发表于 2017-1-17 11:54:09

写的非常好！

一般这种效应被称为反常短沟道效应（逆短沟效应）。

类似地，还有反常窄沟道效应。我们知道，在老工艺（LOCOS等）里，由于窄沟效应，当器件的W下降时，其阈值电压是上升的。但是在先进工艺里，反而会出现阈值电压随W下降而下降的现象。
所以还是在接触新工艺时，自己先简单仿仿这些东西吧

宋小木 · 发表于 2017-6-8 11:02:48

干货贴黄金贴~~~

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