关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

heziyun001 · 发表于 2019-4-17 17:19:54

楼主讲的很好 https://www.researchgate.net/pos ... e_of_the_transistor
这是researchgate上的一个问答
第一个回答讲的也很好
DIBL和RSCE的综合效应导致了这样的结果

heziyun001 · 发表于 2019-4-17 17:29:57

gravediggaz 发表于 2014-7-4 22:23
Halo Impalnt会导致NMOS的RSCE(reverse short channel effect)，但并不是唯一的原因，甚至不注入Halo impla ...

学到了！太棒了感谢

heziyun001 · 发表于 2019-4-17 17:40:03

对了不止length方向会导致RSCE
Width方向也有WCE和RWCE
因此短沟道器件的VTH是非常复杂的

fcm5658779 · 发表于 2019-4-17 20:21:06

受益匪浅，已经收藏了

xuwenwei · 发表于 2019-4-19 08:41:02

感谢楼主分享

qinguzhang · 发表于 2019-10-12 14:59:58

好帖子，讲得很详细

一西 · 发表于 2020-4-7 15:32:25

学习！

everyname · 发表于 2020-4-30 14:16:17

很不错，应该多点这样的贴

猴子砍树 · 发表于 2020-8-8 21:28:00

很不错的，大家快来围观

qinguzhang · 发表于 2020-11-20 13:20:02

感谢楼主分享

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