关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

mixasic · 发表于 2014-3-15 12:02:38

楼主讲的很好

fdme · 发表于 2014-7-2 09:29:06

学习了

gravediggaz · 发表于 2014-7-4 22:23:19

Halo Impalnt会导致NMOS的RSCE(reverse short channel effect)，但并不是唯一的原因，甚至不注入Halo implant也可能会发生RSCE。实际上源漏区的重掺杂会带来大量被轰击产生的间隙原子缺陷，这些间隙Si原子会包裹PW本身的Boron原子一起扩散，扩散方向沿间隙原子缺陷的浓度梯度即从源漏向沟道区扩散，经过后续的热过程，被运送到沟道区的Boron原子重新被激活（位于Si晶格格点位置），则相当于提高了沟道浓度，则Vth升高。对长沟器件，Boron的横向扩散距离很短，基本不影响整个沟道内的原有掺杂，但对短沟器件，这些Boron相当于对几乎大部分沟道区重新掺杂，所以Vth会随Lch减小而提高。
对PMOS，RSCE出现在0.25um及以下节点，这是由于这些工艺中PMOS的Gate Poly掺杂是P型，而Boron在一些热过程中会穿过GOX进入沟道区，引起Vth下降，即所谓的Boron penetration。但短沟PMOS的源漏端依然存在大量间隙原子缺陷，这些缺陷从源漏区向沟道区和上方扩散，有利于阻止Boron的穿通，所以，有这些缺陷的区域，Boron原子不易串通，显然，间隙原子缺陷的扩散距离对长沟PMOS而言太少，几乎没有影响，大部分沟道区都会有Boron穿过GOX而至，而短沟PMOS，相当一部分沟道区分布有间隙原子缺陷并阻止了Boron扩散，所以Vth没有受到明显的影响。

liudawn · 发表于 2015-3-14 17:21:04

3Q3Q~~

tedious · 发表于 2015-3-15 12:21:06

ding ding

semico_ljj · 发表于 2015-3-15 13:38:05

Mrmentor · 发表于 2015-3-15 22:51:14

学习了，面试的时候老师问到过这个问题，当是只知道短沟道效应，Vth随沟长的减小而减小

wawslink · 发表于 2015-3-25 10:09:46

受益匪浅

suhengzhi · 发表于 2015-4-18 17:23:20

好贴好贴

宋金星 · 发表于 2015-10-15 10:39:10

学习了

[原创] 关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

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