哪种结构的Capless型LDO更实用？

happy979 · 发表于 2024-2-29 16:11:04

瞬态怎么加速啊

semico_ljj · 发表于 2024-5-9 10:30:10

扑火发表于 2012-12-5 09:20
An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduct ...

zan...

i0977454522 · 发表于 2024-6-26 10:25:07

thansk

i0977454522 · 发表于 2024-6-26 10:53:02

thansk

i0977454522 · 发表于 2024-6-26 10:55:12

thansk

biscy1 · 发表于 2024-7-16 09:19:00

谢谢

Gerome · 发表于 2024-7-16 20:43:37

谢谢分享

孤独的自由 · 发表于 2024-10-25 09:56:29

感谢分享，研究一下

BlakeLively · 发表于 2024-12-19 16:33:43

扑火发表于 2012-12-5 09:20
An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduct ...

感谢分享

范修荣 · 发表于 2025-2-15 18:09:01

本帖最后由范修荣于 2025-2-15 18:25 编辑

capless LDO想要改善瞬态响应，一般是比较困难的，以下是一些可思考的方案:
1、输出挂大电容，百pF甚至nF，但受限于diesize成本
2、提高LDO带宽（增加尾电流，如果需要低功耗设计可以考虑动态偏置，或者自适应偏置，但受限于次级点位置，补偿需要仔细设计）
3、提高调整管栅极的压摆率，可以采用摆率增强电路或者带驱动能力的推挽buffer，摆脱尾电流对摆率限制，相应补偿也需要仔细设计
4、使用高通滤波器，或者高速比较器，额外调整调整管栅压，需考虑多环路问题和PVT问题
5、使用开环设计，例如NMOS1源极输出，驱动调整管NMOS2栅极，但DC精度较差
但总的来说，业界使用的架构是符合简单，鲁棒性较强等特点，论文中较为复杂的方案，可行性个人觉得有待商榷

[讨论] 哪种结构的Capless型LDO更实用？

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