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[其它] tieh tiel 的一点个人观点

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1#
发表于 2012-11-6 20:37:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在数字版图中,一些固定到 0 或者1 的输入是用tieh 和tiel的cell,
而不是直接接到电源和地。最近才想明白是不是因为天线效应的原因。
大家有什么观点?
2#
发表于 2012-11-6 20:58:43 | 只看该作者
是,同意
3#
发表于 2012-11-7 00:16:41 | 只看该作者
主要是是ESD保护的作用。
4#
 楼主| 发表于 2012-11-7 19:24:25 | 只看该作者
回复 3# power0650


    这个还真没想到,谢谢。
5#
发表于 2012-11-7 19:28:04 | 只看该作者
Similar to DECAP design, we does not connect gate terminal to VDD/GND directly but connect a serial mos resistor to protect from ESD damage.
6#
发表于 2012-11-8 17:12:47 | 只看该作者
1.ESD保护的原因!跟天线效应没关系!
2.DRC rule中间会有对直接连接到P/G gate的检查。DRC就过不去
7#
发表于 2021-4-21 13:05:25 | 只看该作者


mwc1979 发表于 2012-11-8 17:12
1.ESD保护的原因!跟天线效应没关系!
2.DRC rule中间会有对直接连接到P/G gate的检查。DRC就过不去 ...


decap 单元为啥可以

8#
发表于 2021-4-25 11:56:06 | 只看该作者
啥叫天线效应
9#
发表于 2021-4-25 17:44:21 | 只看该作者
确切说应该是为了防止CDM ESD对mos栅的损伤
10#
发表于 2024-8-2 12:27:52 | 只看该作者


天线效应全称工艺天线效应(PAEprocessantenna effect),是一种芯片制造过程中产生的效应。在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就象是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为“天线效应”

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