我觉得主要考虑三个方面吧
a) 最基本的设计窗口得满足,也就是触发电压Vt1和保持电压Vh,这个跟具体的工艺有关。Vh有时候很难满足,尤其是对于SCR来说,这时候可以考虑提高保持电流Ih,使Ih>>Icc,这样也可以避免latchup
b) ESD防护能力,即二次击穿电流It2,对于HBM的保护能力即It2x1500 V。在考虑防护能力的时候,也不能光考虑It2,还得考虑防护器件上的压降,如果器件上的压降超过了被保护器件的击穿电压,那么此时他的防护能力就不再是It2,而是被保护器件被击穿时对应的电流。
c)如b所述,设计中还得考虑一个重要的量就是导通电阻Ron,现在有些公司的ESD产品也开始以Ron作为产品的一个主要指标。
总之,要想做一个好的ESD设计,首先必须要深入的了解半导体器件物理特性。