天线效应的电荷从哪里来

小干爹z2z · 发表于 2012-10-25 15:11:11

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如题大家讨论讨论。

f2oo0 · 发表于 2012-10-25 15:21:58

金属层刻蚀的时候产生

陈涛 · 发表于 2012-10-26 00:02:33

懂制造工艺的来讲讲

liuada001 · 发表于 2012-10-26 00:16:02

IC现代工艺中经常使用的一种方法是离子刻蚀（plasma etching），这种方法就是将物质高度电离并保持一定的能量，然后将这种物质刻蚀在晶圆上，从而形成某一层。理论上，打入晶圆的离子总的对外电性应该是呈现中性的，也就是说正离子和负离子是成对出现，但在实际中，打入晶圆的离子并不成对，这样，就产生了游离电荷。另外，离子注入（ion implanting）也可能导致电荷的聚集。可见，这种由工艺带来的影响我们是无法彻底消除的，但是，这种影响却是可以尽量减小的。
在CMOS工艺中，P型衬底是要接地的，如果这些收集了电荷的导体和衬底间有电气通路的话，那么这些电荷就会跑到衬底上去，将不会造成什么影响；如果这条通路不存在，这些电荷还是要放掉的，那么，在哪放电就会对哪里造成不可挽回的后果，一般来讲，最容易遭到伤害的地方就是栅氧化层。

sjtusonic · 发表于 2012-10-26 09:02:15

回复 4# liuada001

学习了

bjdonkey · 发表于 2012-10-26 09:15:46

<数字集成电路物理设计>陈章春 P51

[讨论] 天线效应的电荷从哪里来

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