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[讨论] STI和场氧的区别

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发表于 2012-10-16 19:51:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家如何理解 STI和场氧的区别?
发表于 2012-10-18 11:23:37 | 显示全部楼层
STI的引入是为了防止LOCOS的bird's beak effect
发表于 2012-10-18 18:03:47 | 显示全部楼层
我觉得你是想问STI和LOCOS的区别吧?
STI: shallow trench isolation,主要用来分隔有源区,通过在silicon上挖一个深槽,然后长一层高质量高密度的氧化层,然后通过化学气垫生成质量差一点的氧化层把槽填满。STI弄好了,才划分出了有源区。一方面STI可以避免鸟嘴问题,另一方面,因为它比较深,可以做到一些隔离效果。不过在40nm以下,STI对有源区产生的stress会对晶体管性能有影响。
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