iPhone 5内存信息曝光 峰值带宽等数据优于4S

智慧棒

北京时间9月16日消息，据国外媒体报道，在此前的苹果发布会上，通过官方所展示的iPhone 5 SoC图片我们了解了有关这款手机内存接口、带宽速率等数据。同此前的苹果处理器一样，全新的A6芯片同样通过PoP堆叠技术将嵌入式处理器和DRAM内存整合在一起。这样的做法帮助苹果大大节约了手机内部空间，这对于智能手机这样的小尺寸设备来说十分重要。事实上，在当代智能手机中，PoP堆叠技术已经十分常见。

                               
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　　全新的A6芯片

在当地是时间周三举行的发布会上，苹果并没有明确给出有关全新A6芯片的详细数据信息，我们只能通过图片发现芯片上的出现的三星元件型号：K3PE7E700F-XGC2。通过对三星产品说明书的查询后我们发现，K3P这个型号代表的是这是一款基于32位信道的双通道LPDDR2封装芯片。而E7E7这行代码则表明该芯片包括两个DRAM核心，每个核心容量为512MB，总计1G。而最后的00F表该该芯片的频率为1066MHz。
因此，在将以后所有这些信息汇总后，我们便得到了如下这样一张数据图。

                               
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　　iPhone 5的内存峰值带宽比iPhone 4S大约高出33%

通过对苹果以往iOS设备的统计数据研究，我们发现iPhone 5的内存峰值带宽比iPhone 4S大约高出33%，这就使得iPhone 5可以更好的配合速度更快的图形处理单元，并提供更高的显示屏分辨率。据悉，目前已有许多芯片厂商开始出货LPDDR2-1066型号的DRAM芯片，因此苹果采用这样的芯片并不令人惊讶。不过，相对于新iPad，iPhone 5的内存峰值带宽仍然较低，这是因为iPhone 5显示屏和GPU不需要像新iPad一样强大的图形处理性能。
据了解，除了时钟频率之外，还有其他一些因素会影响设备的内存带宽。但目前我们尚不清楚，iPhone 5中A6芯片配套的内存控制器是否与A5芯片一样。ARM架构的芯片一直由于内存带宽有效性的问题饱受外界争议，希望苹果的A6芯片能够有效解决这一问题。