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[求助] mos管的guard ring 的问题

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发表于 2012-8-29 11:00:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近看到一对差分的PMOS管,采用二维交叉匹配的方法,在管子的外围画了ntap guard ring ,再画了ptap guard ring,
想请问各位高手,为什么要这么画?什么情况下用这种方法?谢谢了!!!
发表于 2012-8-29 12:40:55 | 显示全部楼层
主要也就是防干扰吧。。。。和其他的P区N区隔开。
发表于 2012-8-29 14:11:05 | 显示全部楼层
2圈guard ring的保护作用要比一圈强
可以更好的保护你的pmos
但是一般情况下不用这样吧?
发表于 2012-9-7 15:54:16 | 显示全部楼层
防止干扰,做到完全屏蔽
发表于 2012-9-7 16:27:41 | 显示全部楼层
一般差分对匹配性要求都比较高,所以在保证其器件放置匹配的时候都会加两圈GR的,我平时也有这个习惯。你指的PGR自然是做Nwell的衬底接触的,加上最外边的PGR,可以有效的吸收衬底方面的噪音,另外一方面可以使差分对远离其他器件减小系统失配,总之一句话:增加抗干扰能力。
发表于 2016-9-21 14:53:49 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-9-21 18:39:10 | 显示全部楼层
还有可能是这种情况:
电路里边差分PMOS的nwell电位是hot nwell,也就是产生的一个电位,那么这边加入的p-ring就是为了将这个hot nwell与别的隔开。
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