关于GF180u工艺的带隙基准问题

xuyijun2513 · 发表于 2012-8-23 10:12:31

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本人用global foundary180工艺做了一个简单的基准，最后得到了1.3v左右的基准电压，感觉有点玄乎，但是曲线又是好的！（运放增益80db，pm 60）不知道各位原先得到的基准大约在什么范围，请各位大神看看是不是有什么问题，谢谢各位哈！！

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xuyijun2513 · 发表于 2012-8-23 10:24:07

回复 1# xuyijun2513

我大体看了下，运放的失调电压仿真情况下大约为0.1mv，几乎没什么影响。另外运放的启动完全是靠另一个快速电流基准启动和主题电路没有一点关系啊！

semico_ljj · 发表于 2012-8-23 10:24:22

180nm
基准到1.2V~1.3V都是正常的

xuyijun2513 · 发表于 2012-8-23 10:42:35

回复 3# semico_ljj

奥原来如此，我以前有350u工艺很好的为1.21左右但是180u工艺第一次做基准，所以这次得到1.3v比较拿不准谢谢哈

allentel · 发表于 2012-8-27 13:58:18

你用的是GF 0.18 哪个工艺？我们做的怎么还是1.2V？

xuyijun2513 · 发表于 2012-8-27 14:08:52

回复 5# allentel

就是GF180啊是普通的1p4m工艺不知您是哪个？老兄能否给贴个图看看你的设计结构！

allentel · 发表于 2012-8-27 14:21:46

我用的是GF 0.18 HV BCD。结构和你的差不多。1.2v@25

xuyijun2513 · 发表于 2012-8-27 23:20:11

回复 7# allentel

奥你的是高压工艺貌似有点不同我的是低压工艺

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