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楼主: yxh4348

[求助] 帮忙看一个电流镜的问题~

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发表于 2012-8-22 08:53:50 | 显示全部楼层
回复 10# iWeiguo


    非常详细。那么对于电流镜来说,比如简单电流镜,其两侧的管子工作在线性工作区也是可以mirror电流的,只是公式复杂点,是吗?
发表于 2012-8-22 10:00:53 | 显示全部楼层
回复 2# yxh4348


    学习
 楼主| 发表于 2012-8-25 20:07:53 | 显示全部楼层
回复 11# austxuhui


    工作在线性区就是电阻了。。。不能按比例复制的,要用电阻大小去算了。。。
发表于 2012-9-8 22:30:18 | 显示全部楼层
回复 10# iWeiguo


    这个分析不错
N1的偏置为N2,N3,提供栅电流,为什么如果N2,N3工作在饱和区,那么I2,I3就等于20um啊?
发表于 2012-9-8 22:39:42 | 显示全部楼层
回复 10# iWeiguo


    哦
突然想通了,这个是按照原始公式
发表于 2012-9-8 23:04:21 | 显示全部楼层
回复 5# iWeiguo


    ""wuzl423 说的有道理,电阻较小时,Ir=20uA,因为中间NMOS管的漏电压比第一个高(一般该条件成立),Ir会略大于20uA,这时R路的MOS管均工作与饱和区,因为管子漏电压的问题,电流与20uA略有差别;当R电阻太大时,导致R路的MOS管进入线性电阻区,电流就降下来了。wuzl423的第二个公式中的1/Gm即是线性电阻区电阻。""


1、因为中间NMOS管的漏电压比第一个高(一般该条件成立)这个是为什么啊????

2、当R电阻太大时,导致R路的MOS管进入线性电阻区
    对NMOS3,,Vd3等于VDD-IR-DS3这样R越大,Vd3就越小是吧容易进入线性区
3、PMOS3的栅压等于VDS2,漏压取决于R,R越大,Vd越小,这样Vdp3-Vgp3容易小于|Vtp|,这样就饱和区了啊??

另外(1/gm)//ro什么时候接近(取)1/gm,什么时候接近(取)ro
发表于 2012-9-8 23:30:54 | 显示全部楼层
一般情况下,饱和区时,gm=10gmbs=100gds。
发表于 2012-10-24 14:10:30 | 显示全部楼层
回复 10# iWeiguo

如果N2,N3工作在饱和区,且漏电压与M1一样,则I2,I3为20uA。??
想问一下,N2是N3、N1宽长比的2倍,为啥电流会一样?
发表于 2012-10-25 17:36:06 | 显示全部楼层
呃,未仔细看,N=2,电流double一下吧。
发表于 2012-10-25 22:19:52 | 显示全部楼层
<=20uA
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