【求论文】 3篇 journal of vacuum science 上的关于si-sio2 interface的论文

analogmind

3篇非常经典的早期论文。si-sio2 interface是半导体器件能否成功的最重要的因素。 Grove早期的研究就是这方面的。 但其中2篇是bell的大牛写的。 试了很多途径都下不到，没有高权啊。。。。请神仙帮帮忙！！！



"Influence of a thin oxide layer between metal and semiconductor on Schottky diode behavior "
http://ieeexplore.ieee.org.ezproxy.gl.iit.edu/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=4952470&contentType=Journals+%26+Magazines&refinements%3D4293462792%26matchBoolean%3Dtrue%26searchField%3DSearch_All%26queryText%3D%28p_Authors%3Anicollian%29


"Surface Passivation of Semiconductors"
http://ieeexplore.ieee.org.ezproxy.gl.iit.edu/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=4956115&contentType=Journals+%26+Magazines&refinements%3D4293462792%26matchBoolean%3Dtrue%26searchField%3DSearch_All%26queryText%3D%28p_Authors%3Anicollian%29


"Properties of the silicon–SiO2 interface "
http://ieeexplore.ieee.org.ezproxy.gl.iit.edu/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=4952775&contentType=Journals+%26+Magazines&sortType%3Dasc_p_Sequence%26filter%3DAND%28p_IS_Number%3A4952769%29

analogmind

自己顶一下。比较小众的论文，大家帮忙啊。

analogmind

自己顶一下。大家多帮忙啊，也是造福论坛。