ESD保护电路

guke121 · 发表于 2013-6-16 23:27:15

为了信元使劲顶啊

duray · 发表于 2013-6-22 19:42:32

好贴，受益匪浅

alex_2012 · 发表于 2013-7-11 23:24:31

第一张图片的三个结构从上往下依次是：
1、Power clamp结构一般用在电源到地之间，ESD能力较强，有时候甚至少做些PAD上的ESD管，尽量加强power clamp。这个结构中一般会多用一些inverter（奇数个哦）以加强驱动能力。前面的RC时间常数是有要求的，要长于ESD脉冲上升时间（如HBM10ns~15ns）而小于电源正常上电时间ms级，layout时不要吝啬面积啦。
2、Input pad的ESD结构，典型的GGMOS结构，后面的diode作用也相同，一般如果GGMOS够强的话，diode也可以不用，电阻的作用是保护gate oxide，layout时resistance要画的宽些（比如5um以上，要走大电流的），阻值嘛200 Ohm左右就OK了。
3、Output pad的ESD结构，请注意输出驱动管drain端要用ESD规则画，保险起见输出端的ESD器件还是都用上吧。