反向了常见LDO和DC-DC的ESD结构，发现都只有GGNMOS，请高手指点，谢谢！

math123

如图所示，EN引脚只有GGNMOS，没有和VIN之间PMOS结构（类似GGNMOS）
请问什么情况下才要加这个PMOS的ESD结构啊？



    还有，我查看了一些资料，看到下面列出的一些ESD测试的方式，对于LDO和DC-DC来说，将VIN代替
VDD就可以了吗？ 还是看做没有VDD，VIN作为一般引脚来看待？ 请高手指点，谢谢！

进入芯片的静电可以通过任意一个引脚放电，测试时，任意两个引脚之间都应该进行放电
测试，每次放电检测都有正负两种极性，所以对I/O 引脚会进行以下六种测试：
2
1） PS 模式：VSS 接地，引脚施加正的ESD 电压，对VSS 放电，其余引脚悬空；
2） NS 模式：VSS 接地，引脚施加负的ESD 电压，对VSS 放电，其余引脚悬空；
3） PD 模式：VDD 接地，引脚施加正的ESD 电压，对VDD 放电，其余引脚悬空；
4） ND 模式：VDD 接地，引脚施加负的ESD 电压，对VDD 放电，其余引脚悬空；
5） 引脚对引脚正向模式：引脚施加正的ESD 电压，其余所有I／O 引脚一起接地，VDD 和
VSS 引脚悬空；
6）引脚对引脚反向模式：引脚施加负的ESD 电压，其余所有I／O 引脚一起接地，VDD 和
VSS 引脚悬空。
VDD 引脚只需进行(1)(2)项测试

lucia_wan

ggnmos在电源和地之间也加了，所以io对电源打的时候就可以先到地pin，然后经过电源和地的ggnmos到电源，已经有了通路。pmos的snapback很差，不如ggnmos加二极管的能力强，可以不加。

math123

ggnmos在电源和地之间也加了，所以io对电源打的时候就可以先到地pin，然后经过电源和地的ggnmos到电源，已经 ...
lucia_wan 发表于 2012-8-16 15:45

                               
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明白了，谢谢

myoklover

学习了

semico_ljj

也是为了节省面积！加了会更好

andy2000a

一般有分 GGNMOS  or  SCR ..circuit 都是 nmos diode , SCR 會layout 畫入 p n pn ..
有一說法 SCR 可耐電流大一些 ,但因為 scr 會被 trig ..沒設好 trig點可能會誤動作 , 對 analog來說就是 leakage .  GGNMOS 一般不會 .

故多使用 ggnmos , 至於 laYOUT SIZE   SCR 可比 GGNMOS 小一點 .
很多 esd 只有 nmos 沒有 pmos , 但當打對 v+  是沒 path 可流 , 會如此做是因為   很多早期 pmos diode   在 lv來說說會接到 chip 內 低壓5v ,  LV ESD CELL 是如此 但 esd 會打不過 .
後來乾脆拿掉 , 還有的人是用 高壓 biode (hv process) 來做 p端 esd cell.

比較麻煩是 rf signal 或是 如 pwm 中 zero crossing 用 zcd , 光 ggnmos esd 的電容
就會影響到 ,很多做法是 因為 signal 打低點 或降低 esd 要求 .
因為 zcd 本來就是 低壓很低 ..

對拉 如果是 800v uhv  pin .. 不知 esd cell 須不須要 ?  還是說 pull_up  uhv
當純電阻 不管他 ??

方华佳瑞

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analogg

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castlerock

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江湖人92

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