在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2897|回复: 3

[讨论] mos的(W/L)=20/10 vgs vds 都相同 分别用0.5um和2.5um工艺实现,产生哪些不同?

[复制链接]
发表于 2012-8-15 21:04:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
越详细越好
发表于 2012-8-15 22:32:22 | 显示全部楼层
最明显的是栅氧厚度不一样,因此COX不一样,跨导gm也就有很大差异
发表于 2012-8-16 16:07:59 | 显示全部楼层
Matching程度不同
想到再补充~~
发表于 2012-8-16 16:09:23 | 显示全部楼层
Vt应该也会不同,Ron也会不同,
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 21:59 , Processed in 0.029221 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表