求助：ddr3 ml605的一些问题

harborn

1.

app_addr = row + bank + col

app_addr = bank + row + col

两者的区别是什么？



2.

对于顺序的读写，比如ML605板上的DDR3是512MB的，那么如果全部写入或者读出，无论在back-to-back 还是 non back-to-back模式下，

app_addr是否就单调的增加就行，而不用单独处理 col_addr row_addr bank_addr，如果是这样，那么就不用了解DDR3内部的组织了。

而对于单独地读写一个burst length，我的理解也是不用单独处理col_addr等的。

请问是否是这样？



3.

我的设计这样的：

3.1 put data -> ddr3: (put_data_fifo + mask_fifo) -> ddr3, 两个fifo的写入速率小于读出速率，

    这样的话，对ddr3的写入就会不连续，所以我采用了app_rdy和app_wdf_rdy同时处理的模式，也就是说：在app_rdy和app_wdf_rdy同时为高的情况下

    如果fifo有数据的话，app_en会隔一个周期使能（写入app_cmd和app_addr）；

    app_en使能的同时app_wdf_wren，写入app_wdf_data为burst的前四个qw；app_en不使能时，写入app_wdf_data为burst的后四个qw.

3.2 ddr3 -> get data: ddr3 -> (get_data_fifo),同理，fifo的读出速率小于写入速率。

    当fifo快满时，就要停止从ddr3读取数据，也就是停止app_en及地址的增加，这样的话就无法实现back-to-back了，

    所以我的ddr3读取逻辑还是app_en使能隔一个周期。

请问这样的设计是否会有问题？

而事实呢，我确实碰到问题，比如512MB全部写入然后全部读出时，我的逻辑状态机会死机：写和读都会死机。

读死机是app_rdy始终为低；

写死机是状态机跳到未知状态去了，可我没有定义其他状态啊。

呼唤 catcat_2 和 lucien_1986 出来答疑，万分感谢！

陶志妖妖

困扰已久的问题，同求

lemondavid

同问，有经验的人来说下吧