CSMC 工艺求教！！！！

ptadx

回复 10# CDS


   前段时间用其他工艺去了，现在换回来了，这个问题还是没弄明白。我知道1K 2K 3K是怎么回事了，

我在仔细看了，是这样的 阻值：rpoly1 小于 rnpoly1 小于 rppoly1   这个还是不明白不掺杂怎么还小一些
                                     poly2电阻就是： rnpoly2 小于 rppoly2 小于 rpoly2    这个可以理解。

CmosLgh

PATH环境变量设定

825555056

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CDS 发表于 2012-8-7 18:08
IM是高阻注入阻挡层，有IM的区域的POLY上不做注入，保持为高阻。
1K识别层了2K识别层只是为了做LVS用的。
...

请问从剖面图上看，IM层是介于poly和A1之间吗？或者说IM下的poly是保持高阻状态，那么IM覆盖下的A1/A2的阻值会很大嘛，想知道版图上能不能从IM上面过金属线，会不会引起金属连接较大的阻抗？

陈曦瑜

谢箫