CSMC 工艺求教！！！！

ptadx · 发表于 2012-8-7 11:36:58

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CSMC的工艺中有以下五种电阻：    rploy（ ploy层  阻值：30每方块）          rnploy （ploy层+sn层  阻值：40每方块） rpploy（ploy层+sp层  阻值：60每方块） rhr1km （ ploy层+IM层+1k标识层阻值：1k每方块 )    rhr2km  (ploy层+IM层+2k标识层阻值：2k每方块 )

请问：1.为什么有n/p注入（rn/pploy）的电阻的方块值还比没有注入的高.

      2.IM层是干什么的

      3.rhr1km 和rg2km 层次完全一样，只有电阻标识层不相同，相对前在工艺上是如何实现两个阻值不一样的。

      4.想问一下，那个电阻才是没经过任何处理的ploy电阻

zhuyujun · 发表于 2012-8-7 13:08:01

同问.IM层是干什么的

zxhtiger · 发表于 2012-8-7 14:15:07

IM层是高阻的识别层

ptadx · 发表于 2012-8-7 15:30:37

回复 3# zxhtiger

希望说说IM这层在工艺上的作用，而且为什么两个相同的层次，方块值会不一样。

CDS · 发表于 2012-8-7 18:08:01

IM是高阻注入阻挡层，有IM的区域的POLY上不做注入，保持为高阻。
1K识别层了2K识别层只是为了做LVS用的。
工艺中做成1K或2K是工艺掺杂条件决定的，和光刻无关。

ptadx · 发表于 2012-8-8 10:21:50

回复 5# CDS

谢谢先！
请问那就是没有其他层，只有poly层的poly电阻是有注入的哦。
那请问这个注入是什么注入（或者说是注入了什么），对poly的阻值有什么样的影响。对rnpoly/rppoly 的注入是否有影响。

还有那两个高阻从掩模板上来说是完全一样的，它怎么就实现了一个1K 一个2K啊？？？

求指教！！！

CDS · 发表于 2012-8-8 22:14:46

做成1K还是2K是靠注入实现的，和IM层无关。CSMC的0.5mix工艺Poly2只是用来做高阻和PIP电容的上极板。POLY2 CVD时为非掺杂多晶。普注一层杂质，调整到1K或2K，两者二选一，不可兼得。然后用IM版做阻挡，在不需要做高阻的地方再注入一层高浓度杂质，将电阻头和PIP电容上极板等低阻化。
至于掺杂什么杂质，和设计就没关系了吧？！一般情况都是N型杂质，除非你不是用的0.5mix的，会掺杂P型杂质，那就要看具体工艺了。
不知道这么解释能不能懂呢？

zhuyujun · 发表于 2012-8-9 16:52:19

回复 7# CDS

高手!!!!!!

ptadx · 发表于 2012-8-15 11:35:01

回复 7# CDS

还是不太明白，掺了杂的方块阻值为什么反而大些。rnploy rpploy 大于 rploy

CDS · 发表于 2012-8-16 21:43:26

你那个是CSMC的哪个工艺呢？是rpoly1,rnpoly1,rppoly1三种电阻都有吗？还是有的是poly2的电阻，我没注意到过有三种同是poly1的电阻。或许是rpoly1,rnpoly2,rppoly2三种电阻吧？或者是rnpoly1,rppoly1和rpoly2？

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