sentaurus sdevice应变PMOS电学特性仿真？

calm_ming · 发表于 2012-7-27 14:35:54

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现在正在进行硅基应变PMOS电学特性仿真，可是尝试了几乎所有的模型和方法，经分析发现应变后能带有所变化，迁移率有微小变化，但其中最重要的一项空穴的有效质量没有发生变化，更改模型人就无用，请问有哪位大神知道是怎么回事吗？万分感谢！

zhaojingxiyang · 发表于 2014-10-13 16:42:51

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