什么叫做阱偏效应，如何解释？

buloveice · 发表于 2018-8-13 17:56:38

 谢谢分享资料

十月长安 · 发表于 2018-10-16 14:56:43

useful thanks

nettlefish123 · 发表于 2018-11-9 20:27:12

感谢分享！学习一个

3114007309 · 发表于 2018-12-17 13:56:51

阱偏效应在小工艺的情况下如何避免？是否必保持主要器件边缘与nwell的距离要3um以上？

erajohn · 发表于 2019-3-6 15:12:50

回复 33# yiweikun

多谢分享，好好研究一下

imhy · 发表于 2019-4-24 10:02:50

多谢多谢！

古月小君 · 发表于 2019-5-24 18:27:23

谢谢分享

hijacker · 发表于 2019-9-4 13:21:37

yiweikun 发表于 2018-4-2 15:03
借用别处下载的资料可以解释你的问题

谢谢！资料很强大

hijacker · 发表于 2019-9-4 13:23:04

ellaisbest 发表于 2018-1-16 14:16
蛋糕薄了（工艺先进了），斜着切，（注入），容易边界引起不一致性。从而导致各种效应。切在阱上是 wpe, 切 ...

你这解释最贴切

暂告安全 · 发表于 2019-9-5 10:44:16

hijacker 发表于 2019-9-4 13:23
你这解释最贴切

LOD不是这个意思吧，LOD应该是浅沟槽隔离时在P N中间注入的隔离氧化物产生的应力影响到mos管的沟道，然后影响阈值电压什么的。不过版图上和WPE处理的都差不多，匹配后多打dummy就ok了

[求助] 什么叫做阱偏效应，如何解释？