什么叫做阱偏效应，如何解释？

巫婆酱 · 发表于 2019-9-5 15:47:43

lc137615061 发表于 2017-11-22 15:53
回复 1# le_levi 这个？

您好请问这是书吗如果是书的话请问是什么书呢

张昊va1 · 发表于 2019-9-5 16:59:39

灰常感谢

酒窝没有酒 · 发表于 2019-9-6 15:07:22

wenjian07 发表于 2012-7-31 16:15
wpe：在做阱时，阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射（离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射），会有少量离子注 ...

感谢！解释的非常清楚！

bing_bing · 发表于 2019-9-6 16:19:30

1,LOD 和 STI 是一回事情。都是由于挖沟槽的动作会产生应力的问题，由于管子到沟槽的距离不同，所以应力对不同管子的影响也不同。
2，WPE是由于在阱边缘存在斜射的问题，导致边缘的掺杂浓度比其他地方的高一些从而影响到管子的性能。
3，在版图上，LOD（STI）以及WPE都可以通过加dummy来解决。
4，一般在nm级别才会考虑以上效应，并且随着工艺越来越小处理的态度也不同。本人经历，65nm一般强调加好dummy即可，一般不会刻意去在乎到阱边的距离。如到了更小的工艺，就必须特别注意距离，并且会有硬性的规定。

forevertoyou · 发表于 2020-1-8 15:21:52

谢谢

JC_09 · 发表于 2020-1-13 00:22:55

Thank you for sharing.

hijklmn_joyce · 发表于 2020-1-13 10:02:51

学习了，谢谢

小微电路 · 发表于 2021-4-29 00:44:36

好，经典

我是白小白 · 发表于 2021-5-6 10:19:14

bing_bing 发表于 2019-9-6 16:19
1,LOD 和 STI 是一回事情。都是由于挖沟槽的动作会产生应力的问题，由于管子到沟槽的距离不同，所以应力对 ...

管子到阱边间距满足DRC应该就可以吧，难道还要增大吗？

bing_bing · 发表于 2021-5-15 19:32:19

我是白小白发表于 2021-5-6 10:19
管子到阱边间距满足DRC应该就可以吧，难道还要增大吗？

我自己目前没有碰到过drc有对到井边距离的要求，，如果drc有要求那首先肯定得满足第二如果design有更进一步得要求，满足design得要求

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