什么叫做阱偏效应，如何解释？

巫婆酱 · 发表于 2019-9-5 15:47:43

lc137615061 发表于 2017-11-22 15:53
回复 1# le_levi 这个？

您好请问这是书吗如果是书的话请问是什么书呢

张昊va1 · 发表于 2019-9-5 16:59:39

灰常感谢

酒窝没有酒 · 发表于 2019-9-6 15:07:22

wenjian07 发表于 2012-7-31 16:15
wpe：在做阱时，阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射（离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射），会有少量离子注 ...

感谢！解释的非常清楚！

bing_bing · 发表于 2019-9-6 16:19:30

1,LOD 和 STI 是一回事情。都是由于挖沟槽的动作会产生应力的问题，由于管子到沟槽的距离不同，所以应力对不同管子的影响也不同。
2，WPE是由于在阱边缘存在斜射的问题，导致边缘的掺杂浓度比其他地方的高一些从而影响到管子的性能。
3，在版图上，LOD（STI）以及WPE都可以通过加dummy来解决。
4，一般在nm级别才会考虑以上效应，并且随着工艺越来越小处理的态度也不同。本人经历，65nm一般强调加好dummy即可，一般不会刻意去在乎到阱边的距离。如到了更小的工艺，就必须特别注意距离，并且会有硬性的规定。