【求论文】 7篇IEEE上的关于ESD的论文，求帮忙！！

analogmind · 发表于 2012-7-11 21:19:06

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本帖最后由 analogmind 于 2012-7-11 23:28 编辑

求帮忙，求下载。。。
4篇是TI公司的，1篇是motolora的，1篇IMEC的，还有1篇是1973年的。。。。那时坛子上很多兄弟都没有出生。。。。
其实1973年的这篇是很值得一看的论文（不知道算不算经典）。它告诉你存在这样一个联系：也就是当器件junction 的sheet 电阻值较高(掺杂较低）时会容易出现filament。但再想一下我们不是一般说用silicide blocking 的方法增加器件源或者漏端junction的电阻可以降低出现filament的风险吗？似乎有矛盾。。。。。。。得看看论文才知道。。。。呵呵！

相信这里是个神奇的地方。。。。。。

"Technology scaling effects on the ESD design parameters in sub-100 nm CMOS transistors "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=1269332&contentType=Conference+Publications

"Influence of gate length on ESD-performance for deep sub micron CMOS technology"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=818995&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D818995

"Improving the ESD failure threshold of silicided n-MOS output transistors by ensuring uniform current flow "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=121697&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel1%2F16%2F3465%2F00121697.pdf%3Farnumber%3D121697

"ESD-related process effects in mixed-voltage sub-0.5 /spl mu/m technologies"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=737035&contentType=Conference+Publications

"Analysis of snapback behavior on the ESD capability of sub-0.20 μm NMOS "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=761608&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel4%2F6161%2F16472%2F00761608.pdf%3Farnumber%3D761608

"Engineering the cascoded NMOS output buffer for maximum V/sub t1/"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=890090&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F7140%2F19230%2F00890090.pdf%3Farnumber%3D890090

"Second breakdown and damage in junction devices "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=1477392&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D1477392

analogmind · 发表于 2012-7-12 10:31:25

真心求帮忙。。。。

analogmind · 发表于 2012-7-12 11:52:22

真心求，各种求。。。。

dudiaoke · 发表于 2012-7-12 12:30:38

我马上发到资料库中，你可以自己去下载，希望更多人看到，更多了解器件本身对电路设计的影响，提高自己的设计水平

analogmind · 发表于 2012-7-12 14:24:10

我马上发到资料库中，你可以自己去下载，希望更多人看到，更多了解器件本身对电路设计的影响，提高自己的设 ...
dudiaoke 发表于 2012-7-12 12:30

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好的，多谢。能否给个链接？

phase2000 · 发表于 2012-7-16 10:24:31

链接呢？谢谢啊

jacobshen · 发表于 2012-7-17 17:02:20

abbr_0fbf3c87ae214e8ea597c704b9c41ff0.pdf (271.74 KB, 下载次数: 23 )

abbr_7b88110e328130165f6cfd2ec83e6e3c.pdf (1.13 MB, 下载次数: 27 )

abbr_5515ccf3effb4190309e64795ac3e6d7.pdf (1021.46 KB, 下载次数: 23 )

ESD-related process effects 00737035.pdf (670.02 KB, 下载次数: 20 )

Analysis of snapback behavior on the ESD capability of sub-0.20 μm NMOS 00761608.pdf (588.48 KB, 下载次数: 23 )

Engineering the cascoded NMOS output buffer for maximum 00890090.pdf (881.96 KB, 下载次数: 23 )

Second breakdown and damage in junction devices 01477392.pdf (2.1 MB, 下载次数: 31 )

pingdandan · 发表于 2012-7-22 16:35:35

非常感谢

wxwttf · 发表于 2012-7-24 08:50:46

学海无涯

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