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[讨论] 后仿是提取Calibre with noRC(也就是不提取RC的后仿)和前仿有什么区别???

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发表于 2012-6-17 10:19:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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后仿是提取Calibre with noRC(也就是不提取RC的后仿)和前仿有什么区别???
发表于 2012-6-17 16:04:00 | 显示全部楼层
WPE 等
发表于 2012-6-19 22:07:14 | 显示全部楼层
某些工艺有WPE效应,其它的后仿中会有AS之类的参数,表示源漏的面积。
发表于 2012-6-21 00:17:59 | 显示全部楼层
兩個應該差不多
差在MOS的寄生電容
发表于 2012-6-21 14:31:58 | 显示全部楼层
device parasitic will be modeled.
 楼主| 发表于 2012-7-1 10:47:17 | 显示全部楼层
那AS之类的参数在那看呢??
MOS寄生电容前仿不是也已经体现出来了吗??no R/C后仿又有什么不同呢??
发表于 2012-7-1 11:25:21 | 显示全部楼层
在前仿的时候,通过传递与器件尺寸有关的AS估算数值到网表中取代器件模型的缺省数值。
在后仿中,真实的源漏面积提取出来后转换成真实的AS数值写入网表中。
考虑到版图中有可能的源漏区共享问题,这部分参数有可能在后仿中变得比前仿还小了。
但是电路设计总是要留有足够的裕量的,如果这点差别会影响电路性能,那么这个电路一定有问题。
如果前仿和no RC后仿的结果有很大差别的话,我宁愿相信是后仿提取过程出了问题,是CAD流程或者PDK的问题。
发表于 2014-4-17 19:03:59 | 显示全部楼层
HAOHAOHAOAHAO
发表于 2014-4-17 20:26:19 | 显示全部楼层
回复 1# eli20060909
    器件有源区面积等参数前仿不准,后仿准确。这影响lod和wpe效应
发表于 2016-7-6 10:51:27 | 显示全部楼层
@amodaman 我是用SMIC 0.13工艺 也出现了前仿和no RC后仿的结果有很大差别,是CAD流程或者PDK的问题,如何处理?
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