为什么32nm工艺下温度对器件性能的影响跟45nm以上的相反呢？

joemool · 发表于 2012-8-31 17:27:51

果断收藏！

wangsuiyun2010 · 发表于 2012-9-3 17:26:59

长见识了！

papertiger · 发表于 2012-9-4 10:03:11

学习了新知识。

guoweiqust · 发表于 2012-11-9 10:33:12

回复 4# xdnc

温度降低阈值电压不升高吗？
我看拉扎维书上写的

T增大Vth不增大么？

power0650 · 发表于 2012-11-9 13:07:18

回复 14# guoweiqust

在一个设计中电压一般是固定的（非MSMV），迁移率是同（V-Vth）成正比的。这也是单元在SScorner下比FFcorner慢的原因。

andy2000a · 发表于 2012-11-23 16:25:31

虽然不太清楚是不是你想知道的，但我看过资料讲低温反型效应。在65nm下，延时最大的corner不是高温下的worst case 而是低温下的 worst case low temperature。导致这种现象的直接原因是器件栅电压随着工艺进步也在下降。影响器件延时的两个因素：阈值电压和电子迁移率都是温度的函数，但是随着温度的变化，这两种参数却在相反的方向影响器件的延时。温度降低，电子迁移率升高，延时减小，而阈值电压升高，增大延时，反之亦然。在65nm以上，也就是高栅电压下，电子迁移率占主导，但到了低栅电压下，阈值电压就占了主导。所以低温下虽然电子迁移率有提高，但是阈值电压也太高了
=> 所以是說 65nm
mobility 低溫變好下..  低溫速度比高溫快嗎?

但是到 45nm
mobility 影響不如 Vth ,  高溫比低溫快.

但是如果是 0.18um or 0.35um process ?
一般都不是高溫是比較快嗎?

不太清楚那個對.高溫下電流不是都變大嗎?

xiaoth · 发表于 2014-5-6 15:22:34

涨见识，谢谢。

Kamon · 发表于 2022-12-9 15:23:25

学习

[求助] 为什么32nm工艺下温度对器件性能的影响跟45nm以上的相反呢？

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