LDO的负载电容如何确定

semico_ljj · 发表于 2012-6-8 09:37:53

回复 17# fhyfbjl

dI/dt是数字部分功率切换或者说是动态功耗变化决定的，这个要设计人员商量的，最大值以上再保留一些余量

ohmylittlec · 发表于 2012-6-8 09:47:26

回复 21# semico_ljj

感谢你的回复！
我知道怎么估算寄生电容哈。可以从官方的文件中找到gate density，根据面积得到门的数量，然后仿真或者计算出每一个门的寄生电容，然后乘以门的数量，应该是这个流程吧。
问题是我这样推算出来的结果大概只有4pF左右的电容。但是我自己想了个方法仿真了一下等效的输入电容，发现有300pF左右。出入太大，所以想到版上来问一下。

semico_ljj · 发表于 2012-6-8 10:07:34

回复 22# ohmylittlec

你这个差别有点大了，我觉得你的估算可能小了一些，但是你的仿真得出的Cap的方法可能也有问题。

semico_ljj · 发表于 2012-6-8 10:08:31

你用什么方法仿真出等效电容的呢？我觉得可能有问题

ohmylittlec · 发表于 2012-6-8 10:21:04

回复 23# semico_ljj

不好意思。。。确实是估计小了，应该在40pF左右。而且我估计的应该是比较乐观的值，我只算了PMOS的Cbs和Cgs。这样完全没考虑NMOS管，我觉得再乘以一个2也应该算合理。所以大概在80pF左右。
这样与仿真结果相差400%。
能不能算一个可以接受的范围？

ohmylittlec · 发表于 2012-6-8 10:36:42

回复 24# semico_ljj

我的想法是把数字电路当作黑盒子，里面就是由电阻，电容，以及一些受控源组成的电路。

然后，在电源上加上小信号，做ac分析。
取出电源中流出电流的虚部。
这个电流应该就是对应的容性阻抗部分的电流。

semico_ljj · 发表于 2012-6-8 11:19:20

回复 26# ohmylittlec

这个方法我不好说对不对，只是绝的有点问题！

semico_ljj · 发表于 2012-6-8 11:23:22

回复 25# ohmylittlec

基本没有很大的问题，是只需要算PMOS或者NMOS即可
但是除了Gate上的寄生Cap，你还要估算S、D上的寄生Cap，Metal Cap一般可以忽略，贡献率小于10%

ohmylittlec · 发表于 2012-6-8 11:45:38

回复 28# semico_ljj

好的，非常感谢！

hjiang2008 · 发表于 2014-10-9 11:25:57

学习了

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