求 intel tri-Gate and near threshold volt

andy2000a

求 intel tri-Gate  

2.  near threshold volt
3. Low volt device 要如何用在高壓內 如 0.5u 5v => 40v  
    如下面有圍起來   

4. 40v 用在 uhv 700v 內  如同 700v uhv 內挖 槽給 40v device
  device 是 浮動的地 電位不為超過 40v

peterlin2010

Intel 展示「Claremont」近臨界電壓處理器及多項嶄新技術

intel  near threshold  280mv ~1.2v

when 1.2v  737mw

peterlin2010

回复 2# peterlin2010


   
對於半導體產學界來說，由 IEEE 協會所主辦的國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference, ISSCC）向來是領域中最重要的研討會之一，向來都可以看見最尖端的開發成果，而業界不少廠商也會在研討會上發表其研究成果，身為業界龍頭的 Intel 也不意外，在會議前公開了一部分的成果內容。
目前公開的內容包含了 14nm 製程在在高頻電路、儲存記憶體下的應用、22nm Tri-Gate 在自適應監控、電源控制的設計成果，以及未來跨越到 10nm 以下製程、系統設計的研究。Moore’s Law 向來是目前發展下想努力達成的趨勢之一。目前的 14nm 的趨勢來看，大致上還是遵守著這樣的發展，甚至由 22nm 過渡到 14nm 的統計來看，甚至還稍微超過 Moore’s Law 預測。不過，隨著製程微縮帶來物理上的限制，未來進入到 10nm 以下能否持續維持這樣的趨勢便沒人說得準，這也是各大廠商積極的設定目標之一

有沒有人有 ISSCC  paper ??