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查看: 3567|回复: 1

[求助] 请教一下0.13μmCMOS工艺模型中的一些参数

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ktf08
发表于 2012-5-8 13:10:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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μ（NMOS、PMOS管沟道表面迁移率）VT（NMOS、PMOS管的阈值电压）
tox（NMOS、PMOS管的栅氧化层厚度）
麻烦各位啦，小弟在此拜谢
工艺模型

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wjb158
发表于 2012-5-8 13:35:31 | 显示全部楼层
μ只和掺杂浓度和材料有关吧
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