台积电与ARM扩大合作 或成先进工艺ARM芯片最大代工重镇

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台积电与ARM扩大合作 或成先进工艺ARM芯片最大代工重镇

台积电2012年技术研讨会(TSMC 2012 Technology Symposium)近日在美国圣荷西正式开跑，硅智财授权大厂ARM抢先于日前宣布，将针对处理器优化套件(Processor Optimization Pack，POP)解决方案扩大与台积电合作，全系列ARM处理器核心均会支持台积电40纳米及28纳米工艺。业界认为，台积电可望成为全球40纳米以下先进工艺ARM架构应用处理器的最大晶圆代工重镇。 ARM此次与台积电针对POP扩大合作，在台积电40纳米或28纳米的不同制程中，新增加至少9项ARM处理器核心的选项。在此合作案之前，台积电在POP解决方案中，只提供Cortex-A5及Cortex-A9等共3项ARM处理器核心40纳米制程选项，而在加入9项新选项后，未来至少会有高达12项ARM处理器核心选项可供给客户。 此次最令市场瞩目之处，在于台积电针对行动装置开发的高效能移动28纳米(28HPM)工艺，已能在POP方案中提供Cortex-A7、Cortex-A9、Cortex-A15等主流处理器核心的优化支持，未来几个月内就会有取得ARM Cortex-A15授权的芯片业者，完成台积电28纳米制程的芯片设计定案(tape-out)。 至于在台积电高效能28纳米(28HP)工艺上，也可支持Cortex-A9及Cortex-A15等高频率处理器核心，同时处理器核心数也能够提供单核、双核、四核等多种选项。至于台积电提供的40纳米高速选项工艺，也可开始支持Cortex-A5、Cortex-A7、Cortex-A9等处理器核心及硅智财。 业界认为，台积电今年强攻移动装置芯片市场，在取得ARM的完整处理器核心授权及工艺合作后，下半年将可囊括苹果及三星以外的ARM应用处理器芯片代工订单，成为全球40纳米以下先进工艺ARM芯片最大代工重镇。 台积电今年度技术研讨会特别以“可信任的技术及产能提供者(The Trusted Technology and Capacity Provider)”为主题，除介绍20纳米及14纳米的技术研发进度，也将针对28纳米的良率及产能不足问题，向与会客户群说明。另外，台积电今年也将介绍包括CoWoS及鳍型晶体管(FinFET)技术在内的3D IC发展进度