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[求助] 后仿真的问题

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发表于 2012-4-7 22:58:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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chartered工艺,nplus_u电阻,做的带隙。drc,lvs没问题,后仿真,dc结果跟前仿真差距很大,怀疑是电阻有问题,可是提取rc的网表里电阻确实是20k与电路中一致,有人遇到过这个问题吗?
发表于 2012-4-9 13:58:36 | 显示全部楼层
I do not have experience with the process you mentioned. But did you check you used pre-simulation model for schematic sim and pos-simulation model for extracted sim?
发表于 2013-10-10 19:45:22 | 显示全部楼层
回复 1# yl.ic


   你好,我用的是smic0.18um的工艺,用的rhpro电阻和rnwsti电阻,做的基准电流源,也出现了这种问题,提出来的电阻和前仿时是一样的,但是后仿真时这个电阻乘以电流偏离电阻上的电压10倍左右啊,请问你是怎么解决的?谢谢!
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