后仿真的问题

yl.ic · 发表于 2012-4-7 22:58:51

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chartered工艺，nplus_u电阻，做的带隙。drc，lvs没问题，后仿真，dc结果跟前仿真差距很大，怀疑是电阻有问题，可是提取rc的网表里电阻确实是20k与电路中一致，有人遇到过这个问题吗？

lakeoffire · 发表于 2012-4-9 13:58:36

I do not have experience with the process you mentioned. But did you check you used pre-simulation model for schematic sim and pos-simulation model for extracted sim?

lilun1988 · 发表于 2013-10-10 19:45:22

回复 1# yl.ic

你好，我用的是smic0.18um的工艺，用的rhpro电阻和rnwsti电阻，做的基准电流源，也出现了这种问题，提出来的电阻和前仿时是一样的，但是后仿真时这个电阻乘以电流偏离电阻上的电压10倍左右啊，请问你是怎么解决的？谢谢！

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