在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4868|回复: 12

[资料] BCD工艺两篇论文

[复制链接]
发表于 2012-3-29 17:26:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
ESD Protection Design wih Lateral DMOS Transistor in 40-V BCD Technology

High-Voltage nLDMOS in Waffle-layout Stale with Body-Injected Technique For ESD Protection

ESD Protection Design wih Lateral DMOS Transistor in 40-V BCD Technology.rar

278.31 KB, 下载次数: 61 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

abbr_7870ea1efae1f3fadbfde3303fdbf0a2.rar

397.28 KB, 下载次数: 66 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

ESD Protection Design wih Lateral DMOS Transistor in 40-V BCD Technology.pdf

295.88 KB, 下载次数: 159 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

abbr_8482638fe99d7a2de1fb9a9a0bf9ffd9.pdf

415.08 KB, 下载次数: 149 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2012-4-2 22:36:42 | 显示全部楼层
中国电子顶级开发网论坛0.18/BCD工
发表于 2018-2-10 22:50:57 | 显示全部楼层
Thanks for sharing
发表于 2018-2-20 07:18:23 | 显示全部楼层
非常感謝~~~~
发表于 2018-11-7 15:17:34 | 显示全部楼层
非常感谢
发表于 2019-9-27 09:35:08 | 显示全部楼层
多谢
发表于 2020-6-7 11:21:14 | 显示全部楼层
多谢分享
发表于 2020-6-12 13:11:39 | 显示全部楼层
Thanks!
发表于 2020-11-10 09:32:07 | 显示全部楼层
好东西
发表于 2020-11-10 20:47:03 | 显示全部楼层
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-6 08:26 , Processed in 0.042003 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表