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[求助] Calibre DRC报错

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发表于 2012-3-16 19:21:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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画EEPROM版图的bit cell单元,使用SMIC0.18um工艺,将bit cell扩大容量进行拼接后(小容量并不报错),DRC验证报错:Convention_Lat3b3:Maximun space from any point within Source/Drain region to the nearest pickup AAregion inside the well for I/O and internal circuit.在design rule中并没有找到这个错误的解释。这个错误具体是什么意思,应该怎么解决。如果用较小容量的bit cell单元拼接成所需容量的话,那样面积就是大很多。
发表于 2012-3-17 09:56:16 | 显示全部楼层
LZ意思是不是将STDcell flatten后自行修改成新的STDcell?如果这样的话会有很多DRC问题的,因为foundry给的STDcell很多地方都是偷rule的,但是他们流片验证过这样是没问题的,所以打包成一个黑盒子,DRC并不检测内部。你一旦把cell flatten,那么就要检测内部了,这样就会出问题。
 楼主| 发表于 2012-3-18 13:08:21 | 显示全部楼层
回复 2# guozhuoqi
不是,我没有 flatten,只是增大了容量,放在一个更大的衬底里,没有其他错误,只有那么一种错误。
发表于 2012-3-18 23:39:10 | 显示全部楼层
防止闩锁的一个规则,Maximun space from any point within Source/Drain region to the nearest pickup AAregion inside the well for I/O and internal circuit这个后面应该还有个数值吧,多打衬底就不会报错了
发表于 2012-3-19 09:12:11 | 显示全部楼层
看来是latch-up报错,楼主你要在cell块之间每隔一段安全距离放一些substrate cont,一个大的衬底离中心位置的cell太远了
发表于 2012-3-19 09:14:44 | 显示全部楼层
看来是latch-up报错,楼主你要在cell块之间每隔一段安全距离放一些substrate cont,一个大的衬底离中心位置的cell太远了
 楼主| 发表于 2012-3-19 10:57:48 | 显示全部楼层
回复 6# prayer163
确实是这种错误,画小一点就没有。只有通过画小一点的方法来解决吗?这样拼起来后面积会大点。
发表于 2012-3-19 17:56:27 | 显示全部楼层
咨询专家看报错能否不管...
发表于 2014-1-26 00:41:42 | 显示全部楼层
赚点分不容易啊
发表于 2014-1-29 13:55:47 | 显示全部楼层
latch-up报错,可以加一些PICK-UP点
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