Calibre DRC报错

huanggang870 · 发表于 2012-3-16 19:21:54

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画EEPROM版图的bit cell单元，使用SMIC0.18um工艺，将bit cell扩大容量进行拼接后（小容量并不报错），DRC验证报错：Convention_Lat3b3:Maximun space from any point within Source/Drain region to the nearest pickup AAregion inside the well for I/O and internal circuit.在design rule中并没有找到这个错误的解释。这个错误具体是什么意思，应该怎么解决。如果用较小容量的bit cell单元拼接成所需容量的话，那样面积就是大很多。

guozhuoqi · 发表于 2012-3-17 09:56:16

LZ意思是不是将STDcell flatten后自行修改成新的STDcell？如果这样的话会有很多DRC问题的，因为foundry给的STDcell很多地方都是偷rule的，但是他们流片验证过这样是没问题的，所以打包成一个黑盒子，DRC并不检测内部。你一旦把cell flatten，那么就要检测内部了，这样就会出问题。

huanggang870 · 发表于 2012-3-18 13:08:21

回复 2# guozhuoqi
不是，我没有 flatten，只是增大了容量，放在一个更大的衬底里，没有其他错误，只有那么一种错误。

一叶天下秋 · 发表于 2012-3-18 23:39:10

防止闩锁的一个规则，Maximun space from any point within Source/Drain region to the nearest pickup AAregion inside the well for I/O and internal circuit这个后面应该还有个数值吧，多打衬底就不会报错了