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查看: 3604|回复: 1

[求助] 请教：NMOS器件的Id-Vd曲线线性区斜率和饱和电压由哪些参数决定

发表于 2012-3-8 15:15:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教：NMOS器件的Id-Vd曲线线性区斜率和饱和电压由哪些参数决定（在结构参数一定的条件下）？？
谢谢！！！！！！！

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发表于 2012-4-3 10:59:02 | 显示全部楼层

你可以參考一般MOS物理元件的書, 不同元件設計及結構會有一些不同
譬如說羅輯MOS與功率MOS會有不同
但多可從 Id 對 Vds 微分得到

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