SRAM中的Column-mux是什么意思？

wushiqiang · 发表于 2012-3-1 11:22:42

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选择SRAM时，Column-mux这个参数是什么意思，好像是值越大，面积越大，这个参数会对RAM的性能有什么影响呢？
还有Number of max words per bank是什么意思，为什么要划分bank呢？

万分感谢！

kirkwood · 发表于 2012-3-1 22:26:37

column-mux就是位线的多路选择器，逻辑上与平常看到的mux是一回事。column-mux的值如果过大，实现时面积效率可能偏低，导致面积增大。

划分banks是为了性能，单一阵列的行或列过大会导致性能下降。具体多大的阵列合适要看工艺。

wushiqiang · 发表于 2012-3-2 13:20:53

回复 2# kirkwood

多谢啦，那column-mux的选值就取最小的了？过小的值也会对性能造成影响吗？我看生成的SRAM参数好像column-mux的值越大，漏电功耗就越小。

kirkwood · 发表于 2012-3-2 15:53:30

具体的面积优化要看你要的SRAM大小和compiler的实现，一般情况下column-mux=2是个不错的选择。

总的漏电流基本上与column-mux关系并不非常密切，不知道你看到的数据相关性有多大。

wushiqiang · 发表于 2012-3-2 19:08:13

回复 4# kirkwood

多谢啦，我也只是看了一个SRAM三种column-mux下对应的漏电功耗，也没有统计和分析过。那么column-mux大的SRAM会有一些其他方面的优点吗？

kirkwood · 发表于 2012-3-2 22:31:28

当RAM的字很短，但字数很多时，如1000*20, 当然用column mux大的好一些，这样面积小，而且宽长比例合适，利于做布局布线。反过来如果是 200 * 100, 就要用小的column mux了。

另外功耗也不一样。这些都可以从ram compiler中找到些规律。你用的SRAM是多大的？

wushiqiang · 发表于 2012-3-3 11:15:55

回复 6# kirkwood

我生成了一个TSMC的40nm 高速单端口SRAM，深度为1024，宽度32bit，有三种可选择。
当column-mux为4时，面积17644um^2,漏电功耗3.259uW，最大时钟频率730MHZ。
当column-mux为8时，面积16425um^2,漏电功耗2.095uW，最大时钟频率603MHZ。
当column-mux为16时，面积20083um^2,漏电功耗1.783uW，最大时钟频率451MHZ。

看来面积也不是column-mux越小越大，哈。

xiuqi180 · 发表于 2014-5-30 17:31:42

多谢分享！

zhang5966180 · 发表于 2020-11-16 14:17:06

kirkwood 发表于 2012-3-1 22:26
column-mux就是位线的多路选择器，逻辑上与平常看到的mux是一回事。column-mux的值如果过大，实现时面积效 ...

你好，有相关的资料可以分享么？谢谢

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