是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？

ICLAOUT · 发表于 2012-3-5 12:00:48

回复 17# lixiaojun707
楼主这里说的是两个管子用双环，感觉很大可能都是为了防止latch up。这样环的顺序就定了，内圈base guardring接管子衬底电位，用来减小衬底电阻，外圈是collect guardring，吸收少子。
而我们讨论的是模块与模块之间为防noise再加双环的顺序。这样做其实很费面积，我至今还没遇到过，所以哪个内哪个外我没有真正的经验可谈。前面我回复的那个顺序，是我从以前资料里截取的。对错还是自己分析好，千万别轻信了。。。。。个人觉得版主的解释很好啊。
说说我的理解吧，这里说的noise，应该是通过衬底传导的衬底电流？所以就要通过一个更低的电阻通路把衬底传过来的噪声电流给传导出去。而现在用的工艺基本都是p-sub工艺，所以接地的ptap更能吸收噪声（据说能吸收95%，不知道真假）。而有nwell的ntap好处自然是更深隔离效果更佳，能吸收游离的电子。
以上都是我的纸上谈兵，还是请有实际经验的人来讲讲吧。

umts2000 · 发表于 2012-3-6 18:38:32

学习中哈，~~~~

wwwuuunnnsl · 发表于 2012-3-13 09:04:13

厉害厉害！

hiky · 发表于 2012-3-23 14:37:42

学习了！

elva22965 · 发表于 2012-4-8 00:16:04

几乎所有的都可以将N阱环放在里面，如果不放心可以打三层环，原因是N阱比较深，接高电位有利于吸收衬底中的少子电子，噪声源模块一定要将N阱放在里面，宽度还要增加，p环要贴近n阱环，如有高人有简介请发信指教，相互交流！

elva22965 · 发表于 2012-4-8 00:17:24

几乎所有的都可以将N阱环放在里面，如果不放心可以打三层环，原因是N阱比较深，接高电位有利于吸收衬底中的少子电子，噪声源模块一定要将N阱放在里面，宽度还要增加，p环要贴近n阱环，如有高人有简介请发信指教，相互交流！

leelke · 发表于 2012-5-26 12:20:34

如果是功率管和内部电路隔开，最好做三层环，依次是P+ ring, Nwell ring, P+ring

yangics · 发表于 2012-5-29 19:03:29

关键是不要触发寄生的bjt

zhanqing1215 · 发表于 2012-5-30 11:45:43

N+ RING可以吸收高频,吸收效果不好

+则可以吸收高低频噪声,吸收效果好.N+更实际的用途在于做隔断墙,因为N_WELL很深,增加噪声传播阻力.在LAYOUT时候,应该更多使用P+吸收噪声,N+吸收效果差,但是可以用来做隔断墙使用.

even_ryen · 发表于 2012-6-1 11:14:11

回复 17# lixiaojun707

同意版主的说法。

[讨论] 是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？

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