是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？

willylin0130 · 发表于 2012-2-24 10:48:11

impressed!! thanks!

hao_0071 · 发表于 2012-3-2 09:02:36

看哪种管子，第四端的内，相反的外，仅指管子

天之痕L · 发表于 2012-3-2 11:36:17

还是不咋懂原理大胆猜测是否和PN结的正向反向有关一般为2#的做法

renature · 发表于 2012-3-2 13:29:01

看不是很明白啊

gaojun927 · 发表于 2012-3-2 13:43:16

感觉像老中医一样。

lixiaojun707 · 发表于 2012-3-3 12:56:31

回复 2# ICLAOUT

“如果该模块版图比较敏感，那就先用P+（地）包起来，然后用N+（电源包起来）
如果该模块版图属噪声源，那就先用N+（电源）包起来，然后用P+（地）包起来”

   对于上述观点，是不是可以从P+和N+所接电位方面解释：

P+接地，N+接电源，一般情况下
      地相对于电源来说更“干净”或者“安静”一些，本身的噪声小，受到噪声的干扰（抗噪声能力）也小；
      而电源通常不稳定，噪声大。甚至一定程度上可以认为它是噪声源。
所有就可以解释上述做法，用接地的P+去保护敏感电路或者去隔离噪声源。

至于 6# motofatfat
的解释“有人說都好
ㄧ般都是
N 在外P在內  N可組隔 P可增加　BODY contact”  不清楚，请具体解释？

8# huang.xiwei  的解释
“

其实可以从多子和少子的原理去分析一下就可以了!

”似乎没道理，如何分析？

lixiaojun707 · 发表于 2012-3-3 12:58:09

回复 8# huang.xiwei

“

其实可以从多子和少子的原理去分析一下就可以了!

”

你的上述解释似乎没道理，如何分析？请给予解答，谢谢！

lixiaojun707 · 发表于 2012-3-3 13:00:30

回复 6# motofatfat

你的解释
“有人說都好
ㄧ般都是
N 在外P在內 N可組隔 P可增加　BODY contact”

对上述不是很清楚，请具体解释。谢谢！

analogmind · 发表于 2012-3-3 15:45:52

应该是P ring在里，N ring在外。Pmos是做在nwell里面的，nwell可以和P ring很好的形成反偏耗尽层，减小nwell的寄生电容。同时psub上的nmos工作时产生衬底电流，是电子。p ring 可以帮助提供更多的空穴去复合电子。p ring很浅只有0.1um左右，而nwell有1.5um。所以如果p ring 在外，当电子逃出n ring后就已经很深了，浅的p ring 起的隔离效果就不好。

fuyibin · 发表于 2012-3-3 16:14:10

画个guard ring哪里有那么复杂，原则很简单，自己的电路衬底用自己的地接好，然后用well隔离，让噪声经过一个高阻通路即可

[讨论] 是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？

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