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查看: 3469|回复: 7

[讨论] VCO负阻管的过驱动电压一般设计为多少呢?

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发表于 2012-1-10 15:55:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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基于cmos0.18工艺的,VCO负阻管的过驱动电压一般设计为多少呢?
发表于 2012-1-10 23:49:25 | 显示全部楼层
回复 1# 可爱多999
你可能会解释更多?
发表于 2012-1-10 23:51:10 | 显示全部楼层
0.3VT
发表于 2012-1-11 00:06:12 | 显示全部楼层
这个我觉得要从电流角度考虑,你首先应确定给负阻单元多大的电流,然后根据这个电流,和需要的-gm确定选择什么样的尺寸即vdsat
 楼主| 发表于 2012-1-11 10:27:49 | 显示全部楼层
回复 4# zoom8848


    负阻管的Vdsat有什么要求吗?我看到有些论文是考虑满摆幅条件下PMOS和NMOS的过驱动电压值,得到振荡器的电流Itail。你的意思是我们设计vco的负阻管时候,是先选定电流Itail,再根据gm的值来确定管子的尺寸,从而vdsat也就确定了?
 楼主| 发表于 2012-1-11 10:31:14 | 显示全部楼层
回复 3# minjae2


    你说0.3vth?就是为0.15左右喽。
发表于 2012-1-12 14:45:21 | 显示全部楼层
回复 5# 可爱多999


   我可能考虑不够,如果考虑要在最大摆幅时,要是考虑达到最大摆幅时,负阻要进入电流切换状态,即Vout_max>sqrt(2)*vdsat,这样是不是就有一个上限,学习阶段,经验不足,期待高手解答!
 楼主| 发表于 2012-1-12 16:25:41 | 显示全部楼层
回复 7# zoom8848


    负阻管的vdsat是大点好?还有我们的vco的单端输出端(outn,或者outp)的DC值要设计为vdd的一半值吗?0.18um工艺的话为0.9V?
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