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[转载] 韩政府批准三星在华建立NAND闪存芯片工厂

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发表于 2012-1-4 20:46:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据报道,韩国知识经济部4日表示,已批准三星电子在华设立10纳米级闪存(NAND Flash)工厂的申请。三星电子因此可以开始选址,将于今年上半年开始建厂,目标在明年下半年投产。
有韩国分析师估计,三星电子此举可能会投资40亿美元。
韩国政府要求,为防止国家核心技术非法泄漏,三星电子将制定和执行技术保护对策,并定期对保护情况进行评估。还要求三星制定补充对策,减少此次对中国投资可能给国内经济带来的负面影响。三星电子则承诺继续扩大在韩国国内的半导体投资。
发表于 2012-1-4 22:22:44 | 显示全部楼层
不错啊,在哪里,欢迎啊
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