无运放的带隙基准mos管宽长比的具体设计－－拜求大师告诉小弟。

ken_cn · 发表于 2012-1-17 22:03:46

尽可能将L取大些，不但可以减小flicker noise，而且电阻大点，可以增加PSR。至于W，只要保证电压裕度够就行了。供参考。

overtakehn · 发表于 2012-4-1 15:02:31

回复 21# thewolftotem

请教楼上，"倒比多finger"是什么意思？不太理解，就是如果管子M1是倒宽长比的话，那么finger的数值就会取得较大，是这个意思吗？
如果是，为什么取较大的finger呢？谢谢。。

peterlin2010 · 发表于 2012-4-3 17:38:40

cascode 這方式是PSRR 好, simple , 但須要高壓, 一般 vcc> 3v 會比較安全 .
有些 HV bandgap use cascode 還要小心 mos substrate leakage current .
3v 下可改用 opa + 2 diode 方式..

lxc531 · 发表于 2014-3-28 09:17:36

谢谢了

太英俊 · 发表于 2014-4-24 10:40:34

帖子的题目与问题描述里面的内容有一点让我困惑！！！

ep_lq · 发表于 2015-3-10 22:16:59

学习下

孤鸿 · 发表于 2015-8-7 23:39:56

看了下，还不是很懂，新手没人知道伤不起啊

昆仑三圣何足道 · 发表于 2020-4-7 21:17:30

受教了受教了,多谢!!!

[求助] 无运放的带隙基准mos管宽长比的具体设计－－拜求大师告诉小弟。