SMIC 0.18um 工艺芯片厚度、深阱厚度等一般常规值做多少？

sxzong_hit · 发表于 2011-12-12 17:49:31

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如题!

iamshan · 发表于 2011-12-12 21:13:37

取决于什么工艺比如LG， HV 用的wafer就可能不同有的有EPI，有的是SOI，有的是普通的。阱的深度也同样取决于process。

sxzong_hit · 发表于 2011-12-13 10:57:42

回复 2# iamshan

谢谢谢谢，嗯，我想知道的就是普通的轻掺杂衬底，
我现在在对衬底进行建模，有些工艺上的尺寸不知道怎么选取，主要就是想知道深阱一般做多深，这样建模时才能尽可能准确，不能随便定值啊，可是搜又没搜到...不知道论坛上有人了解没有》。。
还有SMIC轻掺杂衬底电阻率一般是多少？

icfbicfb · 发表于 2011-12-14 08:40:11

看看design rule阿,有相关的参数,比如 Field oxide 厚度, wafer thickness, EPI wafer 等,

一般die 是12mil 厚度 , 1mil = 25um,

sxzong_hit · 发表于 2011-12-19 19:09:02

回复 4# icfbicfb

噢，，，今天下午把lib通通翻了一遍也没有找到只有在design rule里有版图上的深N阱最小规则，没有我要的工艺上做的深度啊啊，，，还有兄台知道SMIC轻掺杂衬底电阻率方块电阻么》？

icfbicfb · 发表于 2011-12-20 08:34:42

看spice model，里面有方块电阻的，比如一般SAB 电阻这种，
diffu poly电阻， sAB与否，但是对衬底电阻率，不知道有否，

sxzong_hit · 发表于 2011-12-20 10:16:55

回复 6# icfbicfb

好，我找找看，谢谢！

sxzong_hit · 发表于 2011-12-20 21:47:04

回复 6# icfbicfb

弱弱的问一句...SAB是什么电阻？？

icfbicfb · 发表于 2011-12-21 16:25:06

就是挡住silicide的这种，即silicide block，用来增大电阻值，
否则电阻很小的

专业邦定 · 发表于 2012-1-9 11:31:05

回复 4# icfbicfb

现在超薄封装比较流行，很多die的厚度都做成了200um.

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