在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3398|回复: 7

寻找高手代做PCB

[复制链接]
发表于 2011-12-8 15:00:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
现在有一款SOC芯片,需要外接两片SRAMSRAM型号为:K7N643645,两片组成64*2M存储系统。SRAM工作频率和SOC工作频率一致,都是同一个时钟200M。
      问题是设计的SOC芯片里面的SRAM控制器保持时间有点不满足,在芯片后端PRIMETIME的静态时序分析报告里有违规,静态时序分析一共覆盖4种情况:Wc_cworsttemperature : 125 ;voltage : 1.08 v.),Bc_cbesttemperature : 0,voltage : 1.32 v),Ml_cbesttemperature : 125,voltage : 1.32 v),Tc_typicaltemperature : 25,voltage : 1.2v)。芯片在Bc_cbest时序有违规,芯片内部SRAM控制器与外部SRAM的接口信号(大概100根信号线)保持时间不满足,slack大概在-0.4ns附近。
    现在想在板级修正这个时序违规,以确保芯片能正常工作。有意者请加QQ:99229593,MSN:sdl3399@hotmail.com
发表于 2011-12-15 12:24:07 | 显示全部楼层
这玩意LZ是想用外部的走线延时来补偿?理论上是可以的。但是最好用BGA封装的SRAM。而且如果能够知道芯片内部走线的长度的话最好。然后用allegro先仿真一下,再布线。
发表于 2011-12-19 09:23:32 | 显示全部楼层
帮顶!
发表于 2012-2-18 20:37:19 | 显示全部楼层
layout?
发表于 2012-2-19 15:52:11 | 显示全部楼层
帮顶,能力达不到
发表于 2012-2-19 18:57:01 | 显示全部楼层
方法是只能延时,用修改加仿真的方法试试
发表于 2012-2-26 10:38:45 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2018-12-13 16:16:53 | 显示全部楼层
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-13 18:52 , Processed in 0.344024 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表